品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002EW
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3Ω@4.5V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2N7002EW
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3Ω@4.5V,200mA
漏源电压:60V
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功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3Ω@4.5V,200mA
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规格型号(MPN):2N7002EW
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3Ω@4.5V,200mA
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