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生产批次：1914
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSC002P03T316
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSC002P03T316
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RSU002P03T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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功率：200mW
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RU1E002SPTCL
工作温度：150℃
功率：200mW
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类型：P沟道
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
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输入电容：25pF@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
工作温度：150℃
功率：200mW
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RU1E002SPTCL
工作温度：150℃
功率：200mW
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RU1E002SPTCL
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：200mW
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类型：N沟道
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
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功率：200mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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连续漏极电流：0.25A
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
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功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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功率：200mW
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输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
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生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSC002P03T316
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
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规格型号(MPN)：RSU002P03T106
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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功率：200mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
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规格型号(MPN)：RSU002P03T106
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功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：200mW
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
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规格型号(MPN)：2SK2731T146
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RSC002P03T316
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：0.25A
类型：P-Channel
导通电阻：1.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
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