采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F
特征频率：125MHz
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：470Ω
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
晶体管类型：PNP
集电极电流(Ic)：-500mA
功率：200mW
工作温度：-55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
输入电阻：10kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：470Ω
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F
特征频率：125MHz
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：470Ω
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
工作温度：-55℃~150℃
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极电流(Ic)：500mA
工作温度：55℃~150℃
集射极击穿电压(Vceo)：40V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA64-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：39@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：0.47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMST6427-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：39@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSTA63-7-F
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
