品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AHZGT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:5.3Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@200μA
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:900mΩ@10V,250mA
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
功率:200mW
反向传输电容:5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSU002P03T106
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSU002P03T106
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSU002P03T106
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: