品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS8402DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA€130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:13.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@10V,220mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@4V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@10V,220mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:170mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:170mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
阈值电压:2V@250μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: