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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFT8472DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFT8472DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3018W
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFT8472DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFT8472DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFT8472DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA€130mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
