品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":81000,"22+":81000}
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:带盒(TB)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):40V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:300mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":12000,"22+":24000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:140MHz
功率:300mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:225MHz
功率:300mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:4.7
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
电阻比:1
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: