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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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生产批次：{"21+"：12000，"22+"：24000}
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个PNP-预偏置
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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