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生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：15V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：15V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：15V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：20V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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包装方式：卷带（TR）
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集射极击穿电压(Vceo)：20V
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晶体管类型：2个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
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功率：300mW
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
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晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
集射极击穿电压(Vceo)：20V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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