采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：114pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：420mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6332C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA€600mA
类型：N和P沟道
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2651，"21+"：5153，"22+"：10261}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UDJ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.05V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：240mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2785，"05+"：81180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6332C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA€600mA
类型：N和P沟道
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7800
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS209PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.2V@3.5µA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@15V
连续漏极电流：630mA
类型：P沟道
导通电阻：550mΩ@630mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：600mA
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
