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    功率: 300mW
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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订19个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订19个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订9个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订9个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订40个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订40个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8404_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8404_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:220mΩ@600mA,4,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订19个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订19个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8403_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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