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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8405_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：137pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：390mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：600mA
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8404_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
阈值电压：1.3V@250μA
输入电容：93pF@15V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：220mΩ@600mA，4，5V
栅极电荷：1.5nC@4.5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：51.16pF@15V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，500mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
