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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数30000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数30000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

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    类型:2个N沟道

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    漏源电压:20V

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    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDW-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:870pC@10V

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,250mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

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    功率:300mW

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

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    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDWQ-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

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    输入电容:22pF@25V

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:6Ω@115mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    阈值电压:900mV@250μA

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    连续漏极电流:500mA

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

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    输入电容:67pF@10V

    功率:300mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

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    输入电容:67pF@10V

    功率:300mW

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    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

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    功率:300mW

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    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订39个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订39个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订20000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订20000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订12000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订12000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订数300个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LDW-7 起订数300个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:870pC@10V

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDWQ-7 起订数21000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LDWQ-7 起订数21000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:870pC@10V

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订40000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订40000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订8000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8808_R1_00001 起订8000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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