采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002BMHZGT116
功率：350mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
