品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7838_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:950pC@4.5V
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.45Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.45V@250μA
输入电容:22.8nF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:1.9Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:185mA
类型:1个P沟道
导通电阻:6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7428_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:900pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: