品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCP8107,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2160pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3426pF@20V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: