采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601STZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo)：160V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P013
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：150pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
包装方式：带盒（TB）
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
