包装规格(MPQ)：181psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMD8260L

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

输入电容：5245pF@30V

连续漏极电流：15A

类型：2N沟道（双）

导通电阻：5.8mΩ@15A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD210PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：散装

输入电容：140pF@25V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：1.5Ω@360mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD220PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：散装

输入电容：260pF@25V

连续漏极电流：800mA

类型：N沟道

导通电阻：800mΩ@480mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD020PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：散装

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：2.4A

类型：N沟道

导通电阻：100mΩ@1.4A，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX705

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX705

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD020PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：散装

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：2.4A

类型：N沟道

导通电阻：100mΩ@1.4A，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX705

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD020PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：散装

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：2.4A

类型：N沟道

导通电阻：100mΩ@1.4A，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD210PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：散装

输入电容：140pF@25V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：1.5Ω@360mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD420PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：散装

输入电容：360pF@25V

连续漏极电流：370mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@220mA，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD020PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：24nC@10V

包装方式：散装

输入电容：400pF@25V

连续漏极电流：2.4A

类型：N沟道

导通电阻：100mΩ@1.4A，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD220PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：散装

输入电容：260pF@25V

连续漏极电流：800mA

类型：N沟道

导通电阻：800mΩ@480mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX603

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD210PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：散装

输入电容：140pF@25V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：1.5Ω@360mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD210PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：散装

输入电容：140pF@25V

连续漏极电流：600mA

类型：N沟道

导通电阻：1.5Ω@360mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD9210PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8.9nC@10V

包装方式：散装

输入电容：170pF@25V

连续漏极电流：400mA

类型：P沟道

导通电阻：3Ω@240mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX614

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD220PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：散装

输入电容：260pF@25V

连续漏极电流：800mA

类型：N沟道

导通电阻：800mΩ@480mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD220PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：14nC@10V

包装方式：散装

输入电容：260pF@25V

连续漏极电流：800mA

类型：N沟道

导通电阻：800mΩ@480mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCX38C

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.25V@8mA，800mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：10+

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFD9210PBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：1W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：8.9nC@10V

包装方式：散装

输入电容：170pF@25V

连续漏极电流：400mA

类型：P沟道

导通电阻：3Ω@240mA，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX605

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZTX601

集射极击穿电压(Vceo)：160V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：250MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1