采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX605STZ
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX605STZ
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZTX605STZ
集射极击穿电压(Vceo)：120V
集电极电流(Ic)：1A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：150MHz
工作温度：55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A
包装方式：剪切带（CT）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
