采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
漏源电压：500V
包装方式：袋
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@1mA
输入电容：150pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@220mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
包装方式：散装
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：370mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@220mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
包装方式：散装
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：370mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
