销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA64

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA64

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV49TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV49TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV49TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX605TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV49TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX605TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCX705TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：160MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA64

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1