采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装方式：袋
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8133，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
