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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:579
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7602S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7602S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SCGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDB-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:17A€32A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7608S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7608S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7608S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:12A€15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3018SFV-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3018SFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2147pF@15V

    连续漏极电流:11A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS9620S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":26769,"MI+":100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS9620S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21.5mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:647
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:13
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:12
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