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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12886}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1332-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025P02FRATL
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1332-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1332-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025P02FRATL
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1332-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8M1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
