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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：1.151nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2162-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：18.9nC@4.5V
输入电容：1.371nF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个N沟道
反向传输电容：172pF@10V
导通电阻：14mΩ@4.5V，4.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL2301C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：503pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：58pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
阈值电压：900mV@250μA
输入电容：1.151nF@10V
栅极电荷：12.5nC@10V
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：1W
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
