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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
功率：1W
导通电阻：8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：250mA
导通电阻：8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
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功率：1W
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连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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类型：P沟道
导通电阻：8Ω@500mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
导通电阻：8Ω@500mA，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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包装方式：袋
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