采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3462-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：785mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3462-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：785mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV8C010UNHZGG2CR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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