品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
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输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
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连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:580pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:580pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:5.3A
功率:1W
栅极电荷:11.3nC@10V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
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输入电容:580pF@15V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
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连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3029LFG-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
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连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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