品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0110N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0110N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0110N3-G-P002
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@500µA
输入电容:60pF@25V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0110N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0110N3-G-P002
阈值电压:2V@500µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
类型:N沟道
连续漏极电流:350mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: