采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327
功率：1W
阈值电压：2.3V@15μA
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V
栅极电荷：3.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3.2A
类型：MOSFET
导通电阻：60mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327
功率：1W
阈值电压：2.3V@15μA
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
