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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K329R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：436pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K324R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
