采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020N05TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：40000，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
