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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：165nC@10V
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输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：165nC@10V
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输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
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功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
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ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
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功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
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输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
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输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：7.5nC@4.5V
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输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
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功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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