采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
