品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE030N06NM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.3V
栅极电荷:49nC
连续漏极电流:21A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4657}
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4657}
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE050N08NM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:44nC
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE050N08NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:44nC
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE050N08NM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:44nC
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE050N08NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
栅极电荷:44nC
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4657}
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:6.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):6000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE030N06NM5SCATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3.3V
栅极电荷:49nC
连续漏极电流:21A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: