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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：39000，"15+"：125229}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
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库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
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功率：2.5W
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包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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栅极电荷：3.1nC@4.5V
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输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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输入电容：2390pF@10V
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导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
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功率：2.5W
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输入电容：468pF@15V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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输入电容：419pF@10V
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类型：N沟道
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
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包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD87501LT
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类型：2N沟道（双）共漏
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
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功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD87501L
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功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
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类型：2N沟道（双）共漏
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规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
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规格型号(MPN)：CSD87501L
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功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：39000，"15+"：125229}
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规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
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类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
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类型：2N沟道（双）共漏
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规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
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导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
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输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：33mΩ@7A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2750，"16+"：5000}
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87501LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
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