品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
输入电容:475pF@25V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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