品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):917psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:散装
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7831TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@250µA
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8113TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@15V
连续漏极电流:17.2A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@17.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011N TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":342,"21+":134821}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7805TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL6342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@9.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8707TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7862TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8736TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL6342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@9.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7403TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2103
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":937,"23+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":5000,"09+":41336,"10+":2937,"11+":55,"13+":1864,"14+":43}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
输入电容:4615pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8707TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11.9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7805ZTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:468pF@15V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: