采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8627}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6218-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250µA
类型：2N沟道（双）
输入电容：1550pF@25V
功率：60W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
输入电容：3850pF@20V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
功率：60W
栅极电荷：79.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
