品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6Q60W,S1VQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@310µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@300V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:820mΩ@3.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7Q60W,S1VQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53C
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:60W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5Q65W,S1Q
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@2.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: