采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N60M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX53C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BDX54C
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：60W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9N65M2
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
