采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC112N06LDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3992，"23+"：69401，"24+"：14789}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC112N06LDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
