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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
输入电容：850pF@10V
工作温度：175℃
功率：65W
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
输入电容：850pF@10V
工作温度：175℃
功率：65W
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8011KNXC7G
功率：65W
阈值电压：4.5V@5.5mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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