品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0853DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:65W
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6170pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@27µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3990pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.8nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@20V
导通电阻:5.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y12-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:9.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@25V
连续漏极电流:86A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@86A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5205PND3FRATL
功率:65W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@27µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L-35
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:35mΩ
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC112N06LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":20891}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0301DPB-00#J0
功率:65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@4.5V
输入电容:5nF@10V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L35AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@27µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3992,"23+":69401,"24+":14789}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R7-40MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1500,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M6R7-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2054pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L35AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@27µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R7-40MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: