品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:600W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:600W
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:272nC@10V
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:600W
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类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
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功率:600W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
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连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
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功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
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功率:600W
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功率:600W
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功率:600W
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
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栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:272nC@10V
输入电容:16.01nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15945pF@25V
连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184E-T1_GE3
连续漏极电流:430A
栅极电荷:272nC@10V
输入电容:16.01nF@25V
功率:600W
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.5V@250μA
漏源电压:80V
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
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栅极电荷:272nC@10V
功率:600W
连续漏极电流:296A
输入电容:15945pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:272nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:296A
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112ER-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:272nC@10V
功率:600W
连续漏极电流:296A
输入电容:15945pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ112E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:2.53mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:272nC@10V
功率:600W
连续漏极电流:296A
输入电容:15945pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: