品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4953
功率:2W
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:6nC@5V
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道
反向传输电容:70pF@15V
导通电阻:54mΩ@10V,5.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT7N10LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@850mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: