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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
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输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
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功率：2W
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输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
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功率：2W
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连续漏极电流：5.5A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
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输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
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类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
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阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
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类型：N沟道
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工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
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输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
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导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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类型：2N沟道（双）
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：UT6K3TCR1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：5.5A
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
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输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L055GNTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
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