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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.1A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421-AU_S1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：26.1nC@10V
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，4.4A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：29.6nC@10V
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：58mΩ@10V，4.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10V，8.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6421_S1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V
输入电容：870pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.007nF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.022nF@15V
连续漏极电流：5.4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
类型：1个P沟道
栅极电荷：29.6nC@10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
