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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7421D1TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7421D1TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7421D1TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7421D1TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.57nF@20V
连续漏极电流：13.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
