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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
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栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
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连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
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输入电容：530pF@20V
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导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
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导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
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功率：2W
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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ECCN：EAR99
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导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
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阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KB6TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G100BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@10V
输入电容：530pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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